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参数资料
| 型号： | IXFP7N80PM |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.44 欧姆 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 32nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1890pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXFP7N80PM
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
ISOLATED TO-220 (IXFP...M)
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
g fs
C iss
C oss
V DS = 20 V; I D = 3.5 A, Note 1
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
5
9.5
1890
133
S
pF
pF
C rss
13
pF
1
2
3
t d(on)
28
ns
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 4 A
R G = 10 Ω (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 6 A
32
55
24
32
12
ns
ns
ns
nC
nC
Q gd
R thJC
9
nC
2.5 ° C/W
Terminals: 1 - Gate
2 - Drain (Collector)
3 - Source (Emitter)
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
V GS = 0 V
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V, Note 1
7
18
1.5
A
A
V
t rr
Q RM
I RM
Notes:
I F = 7 A, -di/dt = 100 A/ μ s,
V R = 100 V, V GS = 0 V
1) Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
0.3
3
250 ns
μ C
A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFP8N50PM | MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220 |
| IXFR100N25 | MOSFET N-CH 250V 87A ISOPLUS247 |
| IXFR102N30P | MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247 |
| IXFR10N100Q | MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247 |
| IXFR140N20P | MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFP8N50P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP8N50PM | 功能描述:MOSFET 4.4 Amps 500V 0.8 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFQ10N80P | 功能描述:MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFQ12N80P | 功能描述:MOSFET 12 Amps 800V 0.85 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFQ14N80P | 功能描述:MOSFET 14 Amps 800V 0.72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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