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参数资料
| 型号： | IXFP7N80PM |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.44 欧姆 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 32nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1890pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXFP7N80PM
7
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
16
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
6
5
7V
6V
14
12
10
V GS = 10V
7V
6V
4
8
3
6
2
4
1
0
5V
2
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
7
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 3.5A Value
v s. Junction Temperature
6
5
4
V GS = 10V
6V
5V
2.8
2.4
2
V GS = 10V
I D = 7A
3
2
1
0
1.6
1.2
0.8
0.4
I D = 3.5A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 3.5A Value
vs. Drain Current
4.0
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
V GS = 10V
T J = 125oC
3.5
2.4
3.0
2.2
2
1.8
1.6
1.4
2.5
2.0
1.5
1.2
1
0.8
T J = 25oC
1.0
0.5
0.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFP8N50PM | MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220 |
| IXFR100N25 | MOSFET N-CH 250V 87A ISOPLUS247 |
| IXFR102N30P | MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247 |
| IXFR10N100Q | MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247 |
| IXFR140N20P | MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFP8N50P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP8N50PM | 功能描述:MOSFET 4.4 Amps 500V 0.8 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFQ10N80P | 功能描述:MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFQ12N80P | 功能描述:MOSFET 12 Amps 800V 0.85 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFQ14N80P | 功能描述:MOSFET 14 Amps 800V 0.72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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