- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录456 > IXFR200N10P (IXYS)MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFR200N10P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 133A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 235nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
IXFR 200N10P
300
250
Fig. 7. Input Adm ittance
140
120
Fig. 8. Trans conductance
200
100
T J = -40 o C
150
80
60
25 o C
150 o C
100
T J = 150 o C
25 o C
40
50
0
-40 o C
20
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
0
50
100
150
200
250
300
350
350
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Curr e nt vs .
Source -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 50V
300
250
200
150
8
7
6
5
4
I D = 100A
I G = 10m A
100
50
0
T J = 150 o C
T J = 25 o C
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
25
50
75
100 125 150 175 200 225 250
100,000
V S D - V olts
Fig. 11. Capacitance
1000
Q G - nanoCoulombs
Fig . 12. Fo r w ar d -Bias
Safe Op e r atin g A r e a
10,000
f = 1MH z
C iss
R D S (o n ) L im it
T J = 1 7 5 o C
T C = 2 5 o C
1 0 0 μs
C oss
100
1m s
1,000
100
C rss
10
DC
10m s
0
5
10
15 20 25
V DS - V olts
30
35
40
1
10
V D
S
- V olts
100
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR20N100P | MOSFET N-CH 1000V 11A ISOPLUS247 |
| IXFR20N120P | MOSFET N-CH 1200V 13A ISOPLUS247 |
| IXFR20N80P | MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247 |
| IXFR21N100Q | MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247 |
| IXFR230N20T | MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR200N10P_06 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Polar HiPerFET Power MOSFET |
| IXFR20N100P | 功能描述:MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR20N120P | 功能描述:MOSFET 26 Amps 1200V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR20N80P | 功能描述:MOSFET 10 Amps 800V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR21N100Q | 功能描述:MOSFET 18 Amps 1000V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。