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参数资料
| 型号： | IXFR80N20Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 71A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 71A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 310W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM Power MOSFETs
ISOPLUS247 , Q-Class
IXFR 80N20Q
TM
(Electrically Isolated Back Surface)
V DSS
I D25
R DS(on)
= 200 V
= 71 A
= 28m W
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Low Q g , High dv/dt
Preliminary data
t rr ￡ 200 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS 247 TM
V DSS
V DGR
V GS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
Continuous
200
200
± 20
V
V
V
E153432
V GSM
I D25
I DM
I AR
E AR
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
± 30
71
320
80
45
V
A
A
A
mJ
G
G = Gate
S = Source
D
D = Drain
TAB = Drain
E AS
1.5
J
dv/dt
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS ,
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
5
V/ns
P D
T J
T JM
T stg
T L
M d
Weight
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
Mounting torque
310
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
1.13/10
W
° C
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
5
g
Features
? Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
? Low drain to tab capacitance(<30pF)
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Fast intrinsic Rectifier
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
Applications
? DC-DC converters
V DSS
V GS = 0 V, I D = 250 uA
200
V
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 4 mA
2.0
4.0
V
power supplies
? DC choppers
? AC motor control
I GSS
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
± 100
nA
Advantages
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = I T
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
25
1
28
m A
mA
m W
? Easy assembly
? Space savings
? High power density
Note 1
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
98617A (7/00)
1-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR80N50P | MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247 |
| IXFR80N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247 |
| IXFT120N15P | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 |
| IXFT12N100Q | MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 |
| IXFT12N100 | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR80N50P | 功能描述:MOSFET 500V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR80N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR80N60P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR90N20 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 200V 0.025 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR90N20Q | 功能描述:MOSFET 90 Amps 200V 0.025 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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