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参数资料
| 型号： | IXFT120N15P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
PolarHT TM HiPerFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Energy Rated
IXFH 120N15P
IXFT 120N15P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
150 V
120 A
16 m ?
200 ns
Fast Intrinsic Diode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 (IXFH)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M ?
150
150
V
V
V DSS
V GSM
I D25
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
± 20
± 30
120
V
V
A
G
D
S
D (TAB)
I L(RMS)
I DM
External lead current limit
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
75
260
A
A
I AR
E AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
60
60
A
mJ
TO-268 (IXFT)
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 ?
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic case for 10 s
2.0
10
600
-55 ... +175
175
-55 ... +150
300
260
J
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
Features
G
S
D = Drain
TAB = Drain
D (TAB)
M d
Mounting torque
(TO-3P)
1.13/10 Nm/lb.in.
l
International standard packages
Weight
TO-247
TO-268
6.0
5.0
g
g
l
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
l
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
Advantages
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
150
V
l
Easy to mount
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 175 ° C
3.0
5.0
± 100
25
500
V
nA
μ A
μ A
l
l
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
16
m ?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99210E(12/05)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IXFT12N100F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT12N100Q | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT12N50F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT12N90Q | 功能描述:MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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