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参数资料
| 型号： | IXFT120N15P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 120N15P
IXFT 120N15P
210
180
150
120
Fig. 7. Input Adm ittance
90
80
70
60
50
Fig. 8. Transconductance
90
60
30
0
T J = 150 o C
25 o C
-40 o C
40
30
20
10
0
T J = -40 o C
25 o C
150 o C
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 75V
250
200
150
8
7
6
5
4
I D = 60A
I G = 10mA
100
50
T J = 150 o C
3
2
0
T J = 25 o C
1
0
0.4
0.6
0.8
1 1.2
V S D - Volts
1.4
1.6
1.8
0
20
40 60 80 100 120
Q G - nanoCoulombs
140
160
10,000
Fig. 11. Capacitance
1000
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
T J = 175 o C
C iss
R DS(on) Limit
25μs
T C = 25 o C
1,000
C oss
100
100μs
1ms
10ms
100
f = 1MHz
C rss
10
DC
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
10
100
V D S - Volts
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXFT12N90Q | 功能描述:MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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