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参数资料
| 型号： | IXFT12N100Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.05 欧姆 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
V DSS
I D25
R DS(on)
Power MOSFETs
Q Class
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Low Q g , High dv/dt
IXFH/IXFT12N100Q
IXFH/IXFT10N100Q
1000 V 12 A 1.05 ?
1000 V 10 A 1.20 ?
t rr ≤ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXFH)
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
1000
1000
± 20
± 30
V
V
V
V
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C,
pulse width limited by T JM
12N100Q
10N100Q
12N100Q
10N100Q
12
10
48
40
A
A
A
A
TO-268 (D3) ( IXFT)
I AR
E AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
12N100Q
10N100Q
12
10
30
A
A
mJ
G
(TAB)
dv/dt
P D
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
5
300
V/ns
W
G = Gate
S = Source
S
D = Drain
TAB = Drain
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
T L
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
300
° C
M d
Weight
Symbol
Mounting torque
Test Conditions
1.13/10 Nm/lb.in.
TO-247 AD 6 g
TO-268 4 g
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Features
IXYS advanced low Q g process
Low gate charge and capacitances
- easier to drive
- faster switching
International standard packages
V DSS
V GS = 0 V, I D = 3 mA
1000
V
Low R DS (on)
Unclamped Inductive Switching (UIS)
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 4 mA
2.5
5.5
V
rated
Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
I GSS
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
± 100
nA
I DSS
V DS = 0.8 ? V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
50
1
μ A
mA
Advantages
Easy to mount
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25 12N100Q
10N100Q
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
1.05
1.20
?
?
Space savings
High power density
? 2002 IXYS All rights reserved
97539D(12/02)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT12N100 | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268 |
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| IXFT13N80Q | MOSFET N-CH 800V 13A TO-268 |
| IXFT140N10P | MOSFET N-CH 100V 140A TO-268 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT12N50F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT12N90Q | 功能描述:MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT13N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 12.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT13N80Q | 功能描述:MOSFET 13 Amps 800V 0.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT13N90 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
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