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参数资料
| 型号： | IXFT12N100Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.05 欧姆 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH/IXFT 12N100Q
IXFH/IXFT 10N100Q
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
TO-247 AD (IXFH) Outline
g fs
V DS = 15 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
4
10
S
C iss
C oss
C rss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
2900
315
50
pF
pF
pF
1
2
3
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
Tab - Drain
t d(on)
20
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
23
ns
t d(off)
R G = 2 ? (External),
40
ns
Dim.
Millimeter
Inches
t f
Q g(on)
15
90
ns
nC
A
A 1
A 2
Min.
4.7
2.2
2.2
Max.
5.3
2.54
2.6
Min.
.185
.087
.059
Max.
.209
.102
.098
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
30
40
nC
nC
b
b 1
b 2
1.0
1.65
2.87
1.4
2.13
3.12
.040
.065
.113
.055
.084
.123
C
.4
.8
.016
.031
R thJC
0.42
K/W
D
E
20.80
15.75
21.46
16.26
.819
.610
.845
.640
R thCK
(TO-247)
0.25
K/W
e
5.20
5.72
0.205
0.225
L
L1
? P
19.81
3.55
20.32
4.50
3.65
.780
.140
.800
.177
.144
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Q
R
S
5.89
4.32
6.15
6.40
5.49
BSC
0.232
.170
242
0.252
.216
BSC
I S
I SM
V SD
t rr
Q RM
I RM
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
I F = I S , -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
200
0.6
7
12
48
1.5
A
A
V
ns
μ C
A
TO-268 Outline
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT12N100 | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268 |
| IXFT12N90Q | MOSFET N-CH 900V 12A TO-268 |
| IXFT13N80Q | MOSFET N-CH 800V 13A TO-268 |
| IXFT140N10P | MOSFET N-CH 100V 140A TO-268 |
| IXFT14N100 | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT12N50F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT12N90Q | 功能描述:MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT13N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 12.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT13N80Q | 功能描述:MOSFET 13 Amps 800V 0.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT13N90 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
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