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参数资料
| 型号： | IXFR80N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 45A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 72 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 197nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM HiPerFET
IXFR 80N50P
Power MOSFET
ISOPLUS247 TM
(Electrically Isolated Back Surface)
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 500 V
= 45 A
≤ 72 m ?
≤ 200 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GSM
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Transient
Continuous
500
500
± 40
± 30
V
V
V
V
ISOPLUS247 (IXFR)
E153432
I D25
I DM
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
45
200
80
80
3.5
20
A
A
A
mJ
J
V/ns
G
D
S
G = Gate
S = Source
(Isolated Tab)
D = Drain
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
Features
P D
T J
T JM
T stg
T L
F C
V ISOL
Weight
T C = 25 ° C
Maximum lead temperature for soldering
Mounting force
50/60 Hz, RMS, 1 minute
360
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
20..120/4.5..25
2500
5
W
° C
° C
° C
° C
N/lb
V~
g
l
l
l
l
l
l
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
Low drain to tab capacitance(<30pF)
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Rated for Unclamped Inductive Load
Switching (UIS)
Fast intrinsic Rectifier
Applications
l
l
DC-DC converters
Battery chargers
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
l
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
BV DSS
V GS(th)
V GS = 0 V, I D = 500 μ A
V DS = V GS , I D = 8 mA
500
3.0
5.0
V
V
l
l
DC choppers
AC motor control
Easy assembly
I GSS
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
± 200
nA
Advantages
l
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
25
2
μ A
mA
l
l
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 40 A
72
m ?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99438E(03/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR80N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247 |
| IXFT120N15P | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 |
| IXFT12N100Q | MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 |
| IXFT12N100 | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268 |
| IXFT12N90Q | MOSFET N-CH 900V 12A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR80N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR80N60P3 | 功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR90N20 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 200V 0.025 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR90N20Q | 功能描述:MOSFET 90 Amps 200V 0.025 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR90N30 | 功能描述:MOSFET 75 Amps 300V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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