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参数资料
| 型号： | IXFT15N80Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 15A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 600 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 15N80Q
IXFT 15N80Q
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ.
Max.
TO-247 AD (IXFH) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
R G = 1.5 W (External)
8
16
4300
360
60
18
27
53
16
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
Q g(on)
90
nC
Dim. Millimeter
Inches
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
(TO-247)
20
30
0.25
0.42
nC
nC
K/W
K/W
A
B
C
D
E
F
Min. Max.
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4 6.2
Min. Max.
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65 2.13
- 4.5
0.065 0.084
- 0.177
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
J
K
L
M
1.0 1.4
10.8 11.0
4.7 5.3
0.4 0.8
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
I S
V GS = 0 V
15
A
N
1.5 2.49
0.087 0.102
I SM
V SD
Repetitive;
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
60
1.5
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = I S -di/dt = 100 A/ m s, V R = 100 V
0.85
8
250
ns
m C
A
TO-268AA (D 3 PAK)
Dim.
Millimeter
Inches
Min. Recommended Footprint
Min. Max.
Min. Max.
A
A 1
A 2
b
b 2
C
D
E
E 1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
4.9 5.1
2.7 2.9
.02 .25
1.15 1.45
1.9 2.1
.4 .65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3 13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40 2.70
1.20 1.40
1.00 1.15
0.25 BSC
3.80 4.10
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75 .83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
.010 BSC
.150 .161
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT16N80P | MOSFET N-CH 800V 16A TO-268 |
| IXFT17N80Q | MOSFET N-CH 800V 17A TO-268(D3) |
| IXFT18N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268 |
| IXFT18N90P | MOSFET N-CH 900V 18A TO268 |
| IXFT20N60Q | MOSFET N-CH 600V 20A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT16N120P | 功能描述:MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT16N80P | 功能描述:MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT16N90Q | 功能描述:MOSFET 16 Amps 900V 0.65 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT17N80Q | 功能描述:MOSFET 17 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT18N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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