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参数资料
| 型号： | IXFT15N80Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 15A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 600 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXFH 15N80Q
IXFT 15N80Q
12
10
V DS = 400 V
10000
8
I D = 7.5 A
I G = 10 mA
1000
Ciss
f = 1MHz
6
Coss
4
2
100
Crss
0
0
20
40
60
80
100
120
10
0
5
10
15
20
25
30
35
50
Gate Charge - nC
Figure 7. Gate Charge
1 00
V DS - Volts
Figure 8. Capacitance Curves
40
60
30
20
T J = 125 O C
10
0.1 ms
1 ms
T C = 25 C
10
T J = 25 O C
1
O
10
ms
100
ms
DC
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0. 1
V SD - Volts
10
1 00
V DS - Volts
1 000
Figure 9. Source Current vs. Source to Drain Voltage Figure10. Forward Bias Safe Operating
1.00
0.10
0.01
D=0.5
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
Single Pulse
Area
0.00
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
Pulse Width - Seconds
Figure 11. Transient Thermal Resistance
? 2000 IXYS All rights reserved
4-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFT16N80P | MOSFET N-CH 800V 16A TO-268 |
| IXFT17N80Q | MOSFET N-CH 800V 17A TO-268(D3) |
| IXFT18N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268 |
| IXFT18N90P | MOSFET N-CH 900V 18A TO268 |
| IXFT20N60Q | MOSFET N-CH 600V 20A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT16N120P | 功能描述:MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT16N80P | 功能描述:MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT16N90Q | 功能描述:MOSFET 16 Amps 900V 0.65 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT17N80Q | 功能描述:MOSFET 17 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT18N100Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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