参数资料
型号: IXFT320N10T2
厂商: IXYS
文件页数: 3/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100F 320A TO-268
标准包装: 30
系列: *
IXFH320N10T2
IXFT320N10T2
320
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 15V
400
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 15V
280
240
200
160
120
80
40
0
10V
8V
7V
6V
5V
4V
350
300
250
200
150
100
50
0
10V
7V
6V
5V
4V
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
350
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 150oC
2.8
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 160A Value
vs. Junction Temperature
300
V GS = 15V
10V
8V
7V
2.4
V GS = 10V
250
200
6V
2.0
I
D
= 320A
I
D
= 160A
1.6
150
5V
1.2
100
50
0
4V
0.8
0.4
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
3.2
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 160A
vs. Drain Current
180
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
2.8
V GS = 10V
160
External Lead Current limit
2.4
T J = 175oC
140
120
100
2.0
80
1.6
60
40
1.2
0.8
T J = 25oC
20
0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料
PDF描述
IXFT32N50Q MOSFET N-CH 500V 32A TO-268
IXFT32N50 MOSFET N-CH 500V 32A TO-268
IXFT340N075T2 MOSFET N-CH 75V 340A TO268
IXFT400N075T2 MOSFET N-CH 75V 400A TO-268
IXFT40N30Q MOSFET N-CH 300V 40A TO-268
相关代理商/技术参数
参数描述
IXFT32N50 功能描述:MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT32N50Q 功能描述:MOSFET 500V 32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT340N075T2 功能描述:MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT36N50P 功能描述:MOSFET 500V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT36N60P 功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube