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参数资料
型号： IXFT320N10T2
厂商： IXYS
文件页数： 4/6页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 100F 320A TO-268
标准包装： 30
系列： *
IXFH320N10T2
IXFT320N10T2
220
200
180
160
Fig. 7. Input Admittance
240
200
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
25oC
140
120
100
80
T J = 150oC
25oC
- 40oC
160
120
80
150oC
60
40
20
0
40
0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
350
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
300
250
200
9
8
7
6
5
V DS = 50V
I D = 160A
I G = 10mA
150
T J = 150oC
4
100
50
0
T J = 25oC
3
2
1
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
100,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
25μs
10,000
Ciss
100
External Lead Limit
100μs
1ms
1,000
Coss
10
T J = 175oC
100
Crss
1
T C = 25oC
Single Pulse
DC
10ms
100ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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PDF描述
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参数描述
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IXFT32N50Q 功能描述:MOSFET 500V 32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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