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参数资料
| 型号： | IXFT80N08 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 80 A, 80 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-268 |
| 封装： | TO-268, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 201K |
| 代理商： | IXFT80N08 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFX26N120P | 26 A, 1200 V, 0.46 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IXGH28N120BD1 | |
| IXGH30N60C2 | |
| IXGH32N170A | |
| IXGH32N90B2 | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFT80N085 | 功能描述:MOSFET MOSFET, INTR DIODE 85V, 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT80N10 | 功能描述:MOSFET 80 Amps 100V 0.125 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT80N10Q | 功能描述:MOSFET 80 Amps 100V 0.015 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT80N15Q | 功能描述:MOSFET 80 Amps 150V 0.0225 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFT80N20Q | 功能描述:MOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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