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参数资料
| 型号： | IXGH32N90B2 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 中文描述： | 64 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封装： | TO-247AD, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 202K |
| 代理商： | IXGH32N90B2 |
2005 IXYS All rights reserved
V
CES
= 900 V
I
C25
=
64 A
V
CE(sat)
= 2.7 V
t
fi typ
= 150 ns
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J = 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ. max.
V
GE(th)
I
C = 250 μA, VCE = VGE
3.0
5.0
V
I
CES
V
CE
= V
CES
T
J = 25°C50
μA
V
GE
= 0 V
T
J = 150°C
750
μA
I
GES
V
CE = 0 V, VGE = ±20 V
±100
nA
V
CE(sat)
I
C = IC110, VGE = 15 V
2.2
2.7
V
T
J = 125°C
2.1
V
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
T
J
= 25
°C to 150°C
900
V
V
CGR
T
J
= 25
°C to 150°C; R
GE = 1 MΩ
900
V
V
GES
Continuous
±20
V
V
GEM
Transient
±30
V
I
C25
T
C
= 25
°C (limited by leads)
64
A
I
C110
T
C
= 110
°C32
A
I
CM
T
C
= 25
°C, 1 ms
200
A
SSOA
V
GE = 15 V, TVJ = 125°C, RG = 10 Ω
I
CM = 64
A
(RBSOA)
Clamped inductive load @
≤ 600V
P
C
T
C
= 25
°C
300
W
T
J
-55 ... +150
°C
T
JM
150
°C
T
stg
-55 ... +150
°C
Maximum lead temperature for soldering
300
°C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
260
°C
M
d
Mounting torque (TO-247)
1.13/10Nm/lb.in.
Weight
TO-247
6
g
TO-268
4
g
DS99384(12/05)
G = Gate,
C = Collector,
E = Emitter,
TAB = Collector
Features
High frequency IGBT
High current handling capability
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Applications
PFC circuits
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
AC motor speed control
DC servo and robot drives
DC choppers
Advantages
High power density
Very fast switching speeds for high
frequency applications
HiPerFASTTM IGBT
IXGH 32N90B2
IXGT 32N90B2
TO-268 (IXGT)
TO-247 (IXGH)
E
G
B2-Class High Speed IGBTs
Advance Technical Information
C (TAB)
G
C
E
C (TAB)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGH40N120A2 | |
| IXGH40N60B2D1 | |
| IXGL200N60B3 | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| IXGN200N60A2 | |
| IXGN320N60A3 | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGH32N90B2D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 32 Amps 900V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGH34N60B2 | 功能描述:IGBT 晶体管 34 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGH35N120 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:IGBT Lightspeed Series |
| IXGH35N120B | 功能描述:IGBT 晶体管 70 Amps 1200V 3.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGH35N120C | 功能描述:IGBT 70A 1200V TO-247AD RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
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