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参数资料
| 型号： | IXGH40N60B2D1 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 中文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封装： | TO-247AD, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 606K |
| 代理商： | IXGH40N60B2D1 |
2003 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J = 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
V
GE(th)
I
C
= 250
A, V
CE = VGE
3.0
5.0
V
I
CES
V
CE = VCES
T
J = 25°C50
A
V
GE = 0 V
T
J = 150°C1
mA
I
GES
V
CE = 0 V, VGE = ±20 V
±100
nA
V
CE(sat)
I
C
= 30 A, V
GE = 15 V
T
J = 25°C
1.7
V
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
T
J
= 25
°C to 150°C
600
V
V
CGR
T
J
= 25
°C to 150°C; R
GE = 1 M
600
V
V
GES
Continuous
±20
V
V
GEM
Transient
±30
V
I
C25
T
C = 25°C
(limited by leads)
75
A
I
C110
T
C = 110°C40
A
I
CM
T
C = 25°C, 1 ms
200
A
SSOA
V
GE = 15 V, TVJ = 125°C, RG = 10
I
CM = 80
A
(RBSOA)
Clamped inductive load @
≤ 600 V
P
C
T
C = 25°C
300
W
T
J
-55 ... +150
°C
T
JM
150
°C
T
stg
-55 ... +150
°C
Maximum lead temperature for soldering
300
°C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
M
d
Mounting torque (M3)
1.13/10 Nm/lb.in.
Weight
TO-247 AD
6
g
TO-268 SMD
4
g
DS99109(10/03)
TO-268
(IXGT)
C (TAB)
G = Gate,
C = Collector,
E = Emitter,
TAB = Collector
G
C
E
TO-247 AD
(IXGH)
E
C (TAB)
Features
Medium frequency IGBT
Square RBSOA
High current handling capability
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Applications
PFC circuits
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
AC motor speed control
DC servo and robot drives
DC choppers
V
CES
= 600 V
I
C25
=
75 A
V
CE(sat)
< 1.7 V
t
fi typ
=
82 ns
HiPerFASTTM IGBT
Optimized for 10-25 KHz hard
switching and up to 150 KHz
resonant switching
G
IXGH 40N60B2D1
IXGT 40N60B2D1
Preliminary Data Sheet
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGL200N60B3 | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| IXGN200N60A2 | |
| IXGN320N60A3 | |
| IXGP48N60A3 | 48 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| IXGQ28N120B | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGH40N60C | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGH40N60C2 | 功能描述:IGBT 晶体管 40 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGH40N60C2D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGH41N60 | 功能描述:IGBT 晶体管 76 Amps 600V 1.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGH42N30C3 | 功能描述:IGBT 晶体管 42 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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