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参数资料
| 型号： | IXGH40N60B2D1 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 中文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封装： | TO-247AD, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 606K |
| 代理商： | IXGH40N60B2D1 |
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGH 40N60B2D1
IXGT 40N60B2D1
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J = 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
C
= 30 A; V
CE = 10 V,
20
36
S
Pulse test, t
≤ 300 s, duty cycle ≤ 2 %
C
ies
2560
pF
C
oes
V
CE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz
210
pF
C
res
54
pF
Q
g
100
nC
Q
ge
I
C = 30 A, VGE = 15 V, VCE = 300 V
15
nC
Q
gc
36
nC
t
d(on)
18
ns
t
ri
20
ns
t
d(off)
130
200
ns
t
fi
82
150
ns
E
off
0.4
0.8 mJ
t
d(on)
18
ns
t
ri
20
ns
E
on
0.3
mJ
t
d(off)
240
ns
t
fi
150
ns
E
off
1.10
mJ
R
thJC
0.42 K/W
R
thCK
(TO-247)
0.25
K/W
Inductive load, T
J = 25°
°°°°C
I
C = 30 A, VGE = 15 V
V
CE = 400 V, RG = 3.3
Inductive load, T
J = 125°
°°°°C
I
C = 30 A, VGE = 15 V
V
CE = 400 V, RG = 3.3
TO-247 AD Outline
Dim.
Millimeter
Inches
Min.
Max.
Min. Max.
A
4.7
5.3
.185
.209
A
1
2.2
2.54
.087
.102
A
2
2.2
2.6
.059
.098
b
1.0
1.4
.040
.055
b
1
1.65
2.13
.065
.084
b
2
2.87
3.12
.113
.123
C
.4
.8
.016
.031
D
20.80
21.46
.819
.845
E
15.75
16.26
.610
.640
e
5.20
5.72
0.205 0.225
L
19.81
20.32
.780
.800
L1
4.50
.177
P
3.55
3.65
.140
.144
Q
5.89
6.40
0.232 0.252
R
4.32
5.49
.170
.216
S
6.15 BSC
242 BSC
e
P
TO-268 Outline
Min. Recommended Footprint
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J = 25°C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
min.
typ.
max.
V
F
I
F
= 30 A, V
GE = 0 V, Pulse test
T
J =150°C
1.6
V
t
≤ 300 s, duty cycle d ≤ 2 %
2.5
V
I
RM
I
F
= 30 A, V
GE = 0 V, -diF/dt =100 A/s, TJ = 100°C4
A
t
rr
V
R = 100 V
T
J = 100°C
100
ns
I
F
= 1 A; -di/dt = 100 A/
s; V
R = 30 V
25
ns
R
thJC
0.9 K/W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGL200N60B3 | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| IXGN200N60A2 | |
| IXGN320N60A3 | |
| IXGP48N60A3 | 48 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXGH40N60C | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGH40N60C2 | 功能描述:IGBT 晶体管 40 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGH40N60C2D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGH41N60 | 功能描述:IGBT 晶体管 76 Amps 600V 1.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGH42N30C3 | 功能描述:IGBT 晶体管 42 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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