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参数资料
| 型号： | IXGH40N60B2D1 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 中文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封装： | TO-247AD, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 606K |
| 代理商： | IXGH40N60B2D1 |
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGH 40N60B2D1
IXGT 40N60B2D1
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
Fig. 7. Transconductance
0
10
20
30
40
50
60
0
30
60
90
120
150
180
I
C - A mperes
g
fs
-
S
iem
ens
TJ = -40C
25C
125C
Fig. 8. Dependence of Turn-Off
Energy on R
G
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
3
6
9
1215
18
212427
30
R
G - Ohms
E
o
ff
-m
illiJ
ou
les
IC = 15A
TJ = 125C
VGE = 15V
VCE = 400V
IC = 30A
IC = 60A
Fig. 9. Dependence of Turn-Off
Energy on I
c
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
I
C - A mperes
E
of
f
-
M
illiJ
ou
le
s
RG = 3.3
VGE = 15V
VCE = 400V
TJ = 125C
TJ = 25C
Fig. 10. Dependence of Turn-Off
Energy on Tem perature
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
T
J - Degrees Centigrade
E
of
f
-
m
illiJ
ou
le
s
IC = 60A
RG = 3.3
VGE = 15V
VCE = 400V
IC = 30A
IC = 15A
Fig. 11. Dependence of Turn-Off
Sw itching Tim e on R
G
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
3
6
9
12
15
18
21242730
R
G - Ohms
S
w
itc
hi
ng
T
im
e-
nanos
ec
ond
IC = 30A
t
d(off)
t
fi - - - - - -
TJ = 125C
VGE = 15V
VCE = 400V
IC = 15A
IC = 60A
Fig. 12. Dependence of Turn-Off
Sw itching Tim e on I
c
75
100
125
150
175
200
225
250
275
300
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
I
C - Amperes
S
w
itc
hi
ng
T
im
e-
nanos
ec
ond
t
d(off)
t
fi
- - - - - -
RG = 3.3
VGE = 15V
VCE = 400V
TJ = 125C
TJ = 25C
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IXGH40N60C2 | 功能描述:IGBT 晶体管 40 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGH40N60C2D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGH41N60 | 功能描述:IGBT 晶体管 76 Amps 600V 1.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGH42N30C3 | 功能描述:IGBT 晶体管 42 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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