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参数资料
| 型号： | IXGH40N60B2D1 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 中文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封装： | TO-247AD, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 606K |
| 代理商： | IXGH40N60B2D1 |
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGH 40N60B2D1
IXGT 40N60B2D1
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
200
600
1000
0
400
800
60
70
80
90
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
0
40
80
120
160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
K
f
T
VJ
°C
-di
F/dt
t
s
K/W
0
200
400
600
800 1000
0
5
10
15
20
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
V
FR
di
F/dt
V
200
600
1000
0
400
800
0
5
10
15
20
25
30
100
1000
0
200
400
600
800
1000
01
23
0
10
20
30
40
50
60
I
RM
Q
r
I
F
A
V
F
-di
F/dt
-di
F/dt
A/
s
A
V
nC
A/
s
A/
s
t
rr
ns
t
fr
Z
thJC
A/
s
DSEP 29-06
I
F= 60A
I
F= 30A
I
F= 15A
T
VJ= 100°C
V
R = 300V
T
VJ= 100°C
I
F
= 30A
Fig. 19. Peak reverse current I
RM
versus -di
F/dt
Fig. 18. Reverse recovery charge Q
r
versus -di
F/dt
Fig. 17. Forward current I
F versus VF
T
VJ= 100°C
V
R = 300V
T
VJ= 100°C
V
R = 300V
I
F= 60A
I
F= 30A
I
F= 15A
Q
r
I
RM
Fig. 20. Dynamic parameters Q
r, IRM
versus T
VJ
Fig. 21. Recovery time t
rr versus -diF/dt
Fig. 22. Peak forward voltage V
FR and
t
fr versus diF/dt
I
F= 60A
I
F= 30A
I
F= 15A
t
fr
V
FR
Fig. 23. Transient thermal resistance junction to case
Constants for Z
thJC calculation:
iR
thi (K/W)
t
i (s)
1
0.502
0.0052
2
0.193
0.0003
3
0.205
0.0162
T
VJ=25°C
T
VJ=100°C
T
VJ=150°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGL200N60B3 | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| IXGN200N60A2 | |
| IXGN320N60A3 | |
| IXGP48N60A3 | 48 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| IXGQ28N120B | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGH40N60C | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGH40N60C2 | 功能描述:IGBT 晶体管 40 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGH40N60C2D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGH41N60 | 功能描述:IGBT 晶体管 76 Amps 600V 1.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGH42N30C3 | 功能描述:IGBT 晶体管 42 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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