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参数资料
| 型号： | IXFV96N15PS |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220-S |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHT™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 96A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PLUS-220SMD |
| 供应商设备封装： | PLUS-220SMD |
| 包装： | 散装 |
IXFH 96N15P
IXFV 96N15P IXFV 96N15PS
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
TO-247 (IXFH) Outline
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
35
45
S
C iss
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
3500
1000
pF
pF
1
2
3
C rss
t d(on)
280
30
pF
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 60 A
33
ns
t d(off)
t f
R G = 4 ? (External)
66
18
ns
ns
Terminals: 1 - Gate 2 - Drain
3 - Source TAB - Drain
Dim. Millimeter Inches
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
(TO-247, PLUS220)
110
26
59
0.21
nC
nC
nC
0.31 ° C/W
° C/W
Min. Max.
A 4.7 5.3
A 1 2.2 2.54
A 2 2.2 2.6
b 1.0 1.4
b 1 1.65 2.13
b 2 2.87 3.12
C .4 .8
D 20.80 21.46
Min. Max.
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
E 15.75 16.26
.610 .640
Source-Drain Diode
Characteristic Values
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
0.205 0.225
.780 .800
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
L1 4.50
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
.177
.140 .144
0.232 0.252
I S
V GS = 0 V
96
A
R 4.32 5.49
S 6.15 BSC
.170 .216
242 BSC
I SM
V SD
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
250
1.5
A
V
PLUS220 (IXFV) Outline
t rr
I F = 25 A, -di/dt = 100 A/ μ s
200 ns
Q RM
I RM
V R = 100 V, V GS = 0 V
600
6
nC
A
PLUS220SMD (IXFV__S) Outline
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692
6,771,478 B2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFX120N25P | MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247 |
| IXFX120N30T | MOSFET N-CH 120A 300V PLUS247 |
| IXFX140N25T | MOSFET N-CH 140A 250V PLUS247 |
| IXFX170N20T | MOSFET N-CH 170A 200V PLUS247 |
| IXFX200N10P | MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFV96N20P | 功能描述:MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX100N25 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX120N20 | 功能描述:MOSFET 200V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX120N25 | 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX120N25P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 250 V 0.24 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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