参数资料
型号: IXFX120N25P
厂商: IXYS
文件页数: 3/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247
标准包装: 25
系列: PolarHT™ HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 120A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 24 毫欧 @ 60A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 185nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 8000pF @ 25V
功率 - 最大: 700W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: PLUS247?-3
包装: 管件
IXFK 120N25P
IXFX 120N25P
120
Fig. 1. Output Characte ris tics
@ 25 o C
250
Fig. 2. Exte nde d Output Characte r is tics
@ 25 o C
110
100
V GS = 10V
9V
225
200
V GS = 10V
9V
90
80
175
70
8V
150
60
125
8V
50
40
7V
100
75
7V
30
20
10
0
6V
50
25
0
6V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
120
V D S - V olts
Fig. 3. Output Characte ris tics
@ 150 o C
2.8
V D S - V olts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alize d to 0.5 I D25
V alue vs . Junction Te m pe ratur e
110
100
90
V GS = 10V
9V
8V
2.5
2.2
V GS = 10V
80
70
60
50
40
30
20
10
0
7V
6V
5V
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
I D = 120A
I D = 60A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.8
V D S - V olts
Fig. 5. R DS(on) Norm alize d to 0.5 I D25
V alue vs . Dr ain Curr e nt
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Curre nt vs . Cas e
Te m pe rature
3.4
3
V GS = 10V
V GS = 15V - - - -
T J = 150 o C
80
70
External Lead C urrent Lim it
2.6
60
50
2.2
40
1.8
1.4
30
20
1
0.6
T J = 25 o C
10
0
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - A mperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料
PDF描述
IXFX120N30T MOSFET N-CH 120A 300V PLUS247
IXFX140N25T MOSFET N-CH 140A 250V PLUS247
IXFX170N20T MOSFET N-CH 170A 200V PLUS247
IXFX200N10P MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
IXFX210N17T MOSFET N-CH 210A 170V PLUS247
相关代理商/技术参数
参数描述
IXFX120N30P3 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX120N30T 功能描述:MOSFET 120V 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX12N90Q 功能描述:MOSFET 12 Amps 900V 0.9W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX140N25T 功能描述:MOSFET 140A 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX140N30P 功能描述:MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube