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参数资料
| 型号： | IXFX260N17T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 260A 170V PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | GigaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 170V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 260A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 400nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 24000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1670W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXFK260N17T
IXFX260N17T
260
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
350
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
240
220
V GS = 10V
8V
7V
300
V GS = 10V
8V
200
180
160
140
120
100
80
60
6V
250
200
150
100
7V
6V
40
5V
50
5V
20
0
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
260
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 130A Value
vs. Junction Temperature
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
V GS = 10V
8V
7V
6V
5V
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
V GS = 10V
I D = 260A
I D = 130A
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 130A Value
vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
3.4
V GS = 10V
180
160
External Lead Current Limit
3.0
140
2.6
2.2
1.8
T J = 175oC
120
100
80
60
1.4
1.0
0.6
T J = 25oC
40
20
0
0
50
100
150
200
250
300
350
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
IXYS REF:F_260N17T(9E)3-23-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX26N100P | 功能描述:MOSFET 26 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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