参数资料
型号: IXFX260N17T
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 260A 170V PLUS247
标准包装: 30
系列: GigaMOS™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 170V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 260A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 6.5 毫欧 @ 60A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 400nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 24000pF @ 25V
功率 - 最大: 1670W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: PLUS247?-3
包装: 管件
IXFK260N17T
IXFX260N17T
260
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
350
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
240
220
V GS = 10V
8V
7V
300
V GS = 10V
8V
200
180
160
140
120
100
80
60
6V
250
200
150
100
7V
6V
40
5V
50
5V
20
0
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
260
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 130A Value
vs. Junction Temperature
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
V GS = 10V
8V
7V
6V
5V
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
V GS = 10V
I D = 260A
I D = 130A
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 130A Value
vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
3.4
V GS = 10V
180
160
External Lead Current Limit
3.0
140
2.6
2.2
1.8
T J = 175oC
120
100
80
60
1.4
1.0
0.6
T J = 25oC
40
20
0
0
50
100
150
200
250
300
350
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
IXYS REF:F_260N17T(9E)3-23-09
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PDF描述
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参数描述
IXFX26N100P 功能描述:MOSFET 26 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX26N120P 功能描述:MOSFET 32 Amps 1200V 0.46 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX26N60Q 功能描述:MOSFET 28 Amps 600V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX26N90 功能描述:MOSFET 26 Amps 900V 0.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX27N80Q 功能描述:MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube