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参数资料
| 型号： | IXFX32N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 300nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5450pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | PLUS247?-3 |
| 包装： | 管件 |
IXFX 32N50
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min.
Typ.
Max.
PLUS247 TM Outline
g fs
C iss
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
18
4950
28
5450
S
pF
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
R G = 2 W (External)
620
240
35
42
110
26
227
730
310
300
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
29
110
40
145
nC
nC
R thJC
R thCK
0.15
0.35 K/W
K/W
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
A
A 1
A 2
b
b 1
b 2
C
4.83 5.21
2.29 2.54
1.91 2.16
1.14 1.40
1.91 2.13
2.92 3.12
0.61 0.80
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
D
E
e
L
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive;
32
128
A
A
L1
Q
R
3.81 4.32
5.59 6.20
4.32 4.83
.150 .170
.220 .244
.170 .190
pulse width limited by T JM
V SD
t rr
Q RM
I RM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
I F = I S
-di/dt = 100 A/ m s,
V R = 100 V
0.85
8
1.5
250
V
ns
m C
A
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFX360N10T | MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247 |
| IXFX48N60P | MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247 |
| IXFX50N50 | MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247 |
| IXFX55N50F | MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247 |
| IXFX60N55Q2 | MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFX32N50Q | 功能描述:MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX32N80P | 功能描述:MOSFET 32 Amps 800V 0.27 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX32N80Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/32A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX32N90P | 功能描述:MOSFET Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFX34N80 | 功能描述:MOSFET 800V 34A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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