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参数资料
| 型号： | IXGN400N30A3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 300V SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | GenX3™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 300V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.15V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 400A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 50µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 19nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 735W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
GenX3 TM 300V IGBT
Ultra-Low-Vsat PT IGBT for
up to 10kHz Switching
IXGN400N30A3
E
V CES = 300V
I C25 = 400A
V CE(sat) ≤ 1.15V
SOT-227B, miniBLOC
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
E153432
V CES
V CGR
V GES
V GEM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GE = 1M Ω
Continuous
Transient
300
300
±20
±30
V
V
V
V
G
E
I C25
I C110
T C = 25 ° C (Chip Capability)
T C = 110 ° C
400
200
A
A
C
E
I LRMS
I CM
SSOA
(RBSOA)
P C
T J
T JM
T stg
Terminal Current Limit
T C = 25 ° C, 1ms
V GE = 15V, T VJ = 125 ° C, R G = 1 Ω
Clamped Inductive Load
T C = 25 ° C
200
1200
I CM = 400
@ 0.8 ? V CES
735
-55 ... +150
150
-55 ... +150
A
A
A
V
W
° C
° C
° C
G = Gate, C = Collector, E = Emitter
Either Emitter Terminal Can Be Used
as Main or Kelvin Emitter
Features
Optimized for Low Conduction Losses
High Current Capability
International Standard Package
V ISOL
50/60Hz
I ISOL ≤ 1mA
t = 1min
t = 1s
2500
3000
V~
V~
miniBLOC , with Aluminium Nitride
Isolation
M d
Weight
Mounting Torque
Terminal Connection Torque (M4)
1.5/13
1.3/11.5
30
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
A dvantages
High Power Density
Low Gate Drive Requirement
Applications
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
BV CES I C = 1mA, V GE = 0V
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
300
V
Power Inverters
UPS
Motor Drives
V GE(th)
I CES
I GES
I C = 4mA, V CE = V GE
V CE = V CES , V GE = 0V
V CE = 0V, V GE = ±20V
T J = 125 ° C
3.0
5.0 V
50 μ A
2 mA
±400 nA
SMPS
PFC Circuits
Battery Chargers
Welding Machines
Lamp Ballasts
Inrush Current Protection Circuits
V CE(sat)
I C
I C
= 100A, V GE = 15V, Note 1
= 400A
1.70
1.15
V
V
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99592B(7/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN400N60A3 | IGBT 400A 600V SOT-227B |
| IXGN400N60B3 | IGBT 600V 430A SOT-227 |
| IXGN50N120C3H1 | IGBT 1200V 95A SOT-227 |
| IXGN50N60B | IGBT 75A 600V SOT-227B |
| IXGN60N60C2 | IGBT 600V 75A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN400N60A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N60B3 | 功能描述:IGBT 模块 Mid-Frequency Range PT IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXGN40N60CD1 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN50N120C3H1 | 功能描述:IGBT 模块 High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXGN50N60B | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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