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参数资料
| 型号： | IXGN400N30A3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 300V SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | GenX3™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 300V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.15V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 400A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 50µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 19nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 735W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN400N30A3
Fig. 1. Output Characteristics
Fig. 2. Output Characteristics
350
300
250
200
@ T J = 25oC
V GE = 15V
11V
9V
7V
300
250
200
@ T J = 125oC
V GE = 15V
11V
9V
7V
150
150
100
100
50
0
5V
50
0
5V
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
V CE - Volts
Fig. 3. Dependence of V CE(sat) on
V CE - Volts
Fig. 4. Collector-to-Emitter Voltage
1.3
Junction Temperature
3.2
vs. Gate-to-Emitter Voltage
1.2
V GE = 15V
2.8
T J = 25oC
I
C
= 300A
1.1
2.4
I
C
= 300A
200A
100A
1.0
I
C
= 200A
2.0
0.9
0.8
0.7
I
C = 100A
1.6
1.2
0.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
280
240
T J - Degrees Centigrade
Fig. 5. Input Admittance
350
300
V GE - Volts
Fig. 6. Transconductance
T J = - 40oC
200
T J = 125oC
250
25oC
25oC
160
120
80
40
0
- 40oC
200
150
100
50
0
125oC
4.0
4.4
4.8
5.2
5.6
6.0
6.4
6.8
0
40
80
120
160
200
240
280
V GE - Volts
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
I C - Amperes
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN400N60A3 | IGBT 400A 600V SOT-227B |
| IXGN400N60B3 | IGBT 600V 430A SOT-227 |
| IXGN50N120C3H1 | IGBT 1200V 95A SOT-227 |
| IXGN50N60B | IGBT 75A 600V SOT-227B |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN400N60A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N60B3 | 功能描述:IGBT 模块 Mid-Frequency Range PT IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXGN40N60CD1 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN50N120C3H1 | 功能描述:IGBT 模块 High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXGN50N60B | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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