- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录625 > IXGN400N30A3 (IXYS)IGBT 300V SOT-227B Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXGN400N30A3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 300V SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | GenX3™ |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 300V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.15V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 400A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 50µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 19nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 735W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXGN400N30A3
56
Fig. 11. Resistive Turn-on Rise Time
vs. Junction Temperature
56
Fig. 12. Resistive Turn-on Rise Time
vs. Collector Current
54
R G = 1 ? , V GE = 15V
V CE = 240V
I
C
= 300A, 200A, 100A
54
T J = 125oC
52
50
48
46
44
52
50
48
46
44
R G = 1 ? , V GE = 15V
V CE = 240V
T J = 25oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
100
120
140
160
180
200
220
240
260
280
300
T J - Degrees Centigrade
Fig. 13. Resistive Turn-on Switching Times
vs. Gate Resistance
I C - Amperes
Fig. 14. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Junction Temperature
130
80
400
250
120
110
100
90
80
70
60
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GE = 15V
V CE = 240V
I C = 200A, 100A
76
72
68
64
60
56
52
350
300
250
200
150
t f t d(off) - - - -
R G = 1 ? , V GE = 15V
V CE = 240V
I C = 300A, 200A, 100A
240
230
220
210
200
50
48
40
30
44
40
100
50
190
180
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 15. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Gate Resistance
T J - Degrees Centigrade
Fig. 16. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Collector Current
380
1100
350
240
360
340
320
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GE = 15V
V CE = 240V
1000
900
800
300
250
t f t d(off) - - - -
R G = 1 ? , V GE = 15V
V CE = 240V
230
220
300
280
I
C
= 100A
700
600
200
T J = 125oC
210
260
240
I C = 200A, 300A
500
400
150
200
220
300
100
T J = 25oC
190
200
200
180
100
50
180
1
2
3
4
5 6
R G - Ohms
7
8
9
10
100
120
140
160
180 200 220
I C - Amperes
240
260
280
300
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: G_400N30A3(96)11-18-08-A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN400N60A3 | IGBT 400A 600V SOT-227B |
| IXGN400N60B3 | IGBT 600V 430A SOT-227 |
| IXGN50N120C3H1 | IGBT 1200V 95A SOT-227 |
| IXGN50N60B | IGBT 75A 600V SOT-227B |
| IXGN60N60C2 | IGBT 600V 75A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN400N60A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N60B3 | 功能描述:IGBT 模块 Mid-Frequency Range PT IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXGN40N60CD1 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN50N120C3H1 | 功能描述:IGBT 模块 High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXGN50N60B | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。