- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录459 > IXKC23N60C5 (IXYS)MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXKC23N60C5 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 23A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.9V @ 1.2mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 100V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
IXKC 23N60C5
0.5
T JV = 150°C
0.3
I D = 18 A
V GS = 10 V
160
V DS > 2 · R DS(on) max · I D
0.4
5.5 V
0.25
25 °C
120
6.5 V
0.3
V DS =
5V
6V
7V
0.2
20 V
0.2
0.15
98 %
80
0.1
0.1
0.05
typ
40
T J = 150 °C
0
0
0
0
10
20
30
40
50
-60
-20
20
60
100
140
180
0
2
4
6
8
10
I D [A]
T j [°C]
V
GS
[V]
Fig. 4 Typ. drain-source on-state
resistance characteristics
Fig. 5 Drain-source on-state resistance
Fig. 6 Typ. transfer characteristics
10
2
25 °C, 98%
12
I D = 18 A pulsed
10
5
V GS = 0 V
f = 1 MHz
T J = 150 °C
25 °C
150 °C, 98%
10
V DS = 120 V
10
4
Ciss
10
1
8
1 20 V
40 0V
10
3
6
Coss
10
2
10
0
4
2
10
1
Crss
10
-1
0
10
0
0
0.5
1
1.5
2
0
10
20
30
40
50
60
0
50
100
150
200
V
SD
[V]
Q
gate
[nC]
V
DS
[V]
Fig. 7 Forward characteristic
Fig. 8
Typ. gate charge
Fig. 9 Typ. capacitances
of reverse diode
1000
750
500
250
I D = 11 A
700
660
620
580
I D = 0.25 mA
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
20
60
100
140
180
540
-60
-20
20
60
100
140
180
0.0
1
10
100
1000
10000
T j [°C]
Fig. 10 Avalanche energy
T j [°C]
Fig. 11 Drain-source breakdown voltage
t p [ms]
Fig. 12 Typ. transient thermal
impedance with heat transfer paste
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
20100303c
4-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXKC25N80C | MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220 |
| IXKC40N60C | MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220 |
| IXKF40N60SCD1 | MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5 |
| IXKG25N80C | MOSFET N-CH 800V 25A ISO264 |
| IXKH20N60C5 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXKC25N80C | 功能描述:MOSFET 25 Amps 800V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKC40N60C | 功能描述:MOSFET 28 Amps 600V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKF40N60SCD1 | 功能描述:MOSFET 40 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKG25N80C | 功能描述:MOSFET 25 Amps 800V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKH20N60C5 | 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。