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参数资料
| 型号： | IXKC25N80C |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 2mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4600pF @ 25V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
IXKC 25N80C
275
250
140
130
T J = 25°C
t p = 10 μs
20 V
70
T J = 150°C
t p = 10 μs
20 V
10 V
225
200
120
110
100
8V
10 V
60
50
8V
7V
6.5 V
175
90
6V
150
80
7V
40
70
125
60
30
5.5 V
100
75
50
25
50
40
30
20
10
6V
I5 V
20
10
5V
4.5 V
4V
0
0
20
40
60
80 100
T C [°C]
120
140
160
0
0
5
10
15
V DS [V]
20
25
30
0
0
5
10
15
V DS [V]
20
25
30
Fig. 1
Power Dissipation
Fig. 2
Typ. Output Characteris-
Fig. 3
Typ. Output Characteris-
0.75
0.7
0.65
0.6
0.55
4 V 4.5 V 5 V
5.5 V
6V
T J = 150°C
6.5 V
0.8
0.7
0.6
0.5
I D = 11 A
V GS = 10 V
130
120
110
100
90
80
t p = 10 μs
25°C
0.5
0.4
70
150°C
60
0.45
0.3
50
0.4
0.35
0.3
7V
8V
10 V
20 V
0.2
0.1
98%
typ
40
30
20
10
0.25
0
5
10
15 20
I D [A]
25
30
35
0
-60
-20
20
60
T J [°C]
100
140
180
0
0
2
4
6
8
10 12
V GS [V]
14
16
18
20
Fig. 4
Typ. Drain-Source
Fig. 5
Drain-Source On-State
Fig. 6
Typ. Transfer Characteris-
on Resistance
Resistance
10
2
16
14
I D = 17 A, pulsed
10
5
V GS = 0 V
f = 1 MHz
10
4
t p = 10 μs
12
0.2 V DS max
C iss
10
1
10
0.8 V DS max
10
3
8
10
0
T J = 25°C typ
T J = 150°C typ
T J = 25°C (98%)
T J = 150°C (98%)
6
4
10
10
2
1
C rss
C oss
2
10
-1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V SD [V]
2
2.4
2.8 3
0
0
40
80
120 160 200
Q G [nC]
240
280
320
10
0
0
100
200
300
400 500
V DS [V]
600
700
800
Fig. 7
Forward Characteristics
Fig. 8
Typ. Gate Charge
Fig. 9
Capacitance
of Body Diode
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
20080526a
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXKC40N60C | MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220 |
| IXKF40N60SCD1 | MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5 |
| IXKG25N80C | MOSFET N-CH 800V 25A ISO264 |
| IXKH20N60C5 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD |
| IXKH24N60C5 | MOSFET N-CH 600V 24A TO247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXKC40N60C | 功能描述:MOSFET 28 Amps 600V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKF40N60SCD1 | 功能描述:MOSFET 40 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKG25N80C | 功能描述:MOSFET 25 Amps 800V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKH20N60C5 | 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKH24N60C5 | 功能描述:MOSFET 24 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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