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参数资料
| 型号： | IXKC40N60C |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 28A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 95 毫欧 @ 28A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.9V @ 2mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 230nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4800pF @ 25V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
IXKC 40N60C
160
0.7
T J = 150°C
V DS > 2x I D x R DS(on)max
I D
= 20 A
140
0.6
V GS =
V GS = 10 V
120
4V
0.5
0.4
4.5 V
5V
5.5 V
6V
6.5 V
100
80
0.3
0.2
20 V
60
40
20
I D [A]
35
T J [°C]
140
V GS [V]
8
Fig. 4
Typ. drain-source on-state
Fig. 5 Drain-source on-state resistance
Fig. 6 Typ. transfer characteristics
resistance
T J = 25°C typ.
T J = 150°C typ.
T J = 25°C (98%)
T J = 150°C (98%)
14
I D = 40 A pulsed
V DS max
V DS max
V GS = 0 V, f = 1 MHz
40
80
120
160
200
240
280
500
V SD [V]
Q G [nC]
V DS [V]
Fig. 7 Forward characteristic
Fig. 8
Typ. gate charge
Fig. 9 Typ. capacitances
of reverse diode
700
650
I D = 10 A
T J [°C]
Fig. 10 Avalanche energy
140
700
I D = 0.5 mA
140
T J [°C]
Fig. 11 Drain-source breakdown voltage
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
20080523a
4-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| IXKH24N60C5 | 功能描述:MOSFET 24 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKH30N60C5 | 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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