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参数资料
| 型号： | IXKP20N60C5 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 1.1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1520pF @ 100V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
IXKH 20N60C5
IXKP 20N60C5
Source-Drain Diode
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25°C, unless otherwise speci?ed)
min.
typ.
max.
I S
V GS = 0 V
10
A
V SD
t rr
Q RM
I RM
I F = 10 A; V GS = 0 V
I F = 10 A; -di F /dt = 100 A/μs; V R = 400 V
0.9
340
5.5
33
1.2
V
ns
μC
A
Component
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T VJ
T stg
operating
-55...+150
-55...+150
°C
°C
M d
mounting torque
TO-247
TO-220
0.8 ... 1.2
0.4 ... 0.6
Nm
Nm
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
R thCH
Weight
with heatsink compound
TO-247
TO-220
TO-247
TO-220
0.25
0.50
6
2
K/W
K/W
g
g
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
20080523d
2-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5150.0021.0 | MODULE PWR ENTRY 15A 250V SCREW |
| M2013LL1W01 | SWITCH TOGGLE SPDT 6A SLDR 5PCS |
| D3G0603N | SWITCH ROTARY 6P-3POS OPEN FRAME |
| B32656S7125K562 | FILM CAP 1.200UF 10% 1250V |
| 5150.0011.1 | MODULE PWR ENTRY 15A 250V SCREW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXKP20N60C5M | 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKP24N60C5 | 功能描述:MOSFET 24 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKP24N60C5M | 功能描述:MOSFET 24 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKP35N60C5 | 功能描述:MOSFET 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXKR25N80C | 功能描述:MOSFET 25 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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