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参数资料
| 型号： | IXKP20N60C5 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 1.1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1520pF @ 100V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
IXKH 20N60C5
IXKP 20N60C5
1.2
T JV = 150°C
6V
6.5 V
0.6
I D
= 10 A
80
V DS > 2 · R DS(on) max · I D
V GS = 10 V
1
V DS =
5V
5.5 V
0.5
25 °C
0.8
7V
10 V
0.4
60
0.6
0.3
98 %
40
0.4
0.2
typ
T J = 150 °C
20
0.2
0.1
0
0
0
0
10
20
30
40
-60
-20
20
60
100
140
180
0
2
4
6
8
10
I D [A]
T j [°C]
V
GS
[V]
Fig. 4 Typ. drain-source on-state
resistance characteristics of IGBT
Fig. 5 Drain-source on-state resistance
Fig. 6 Typ. transfer characteristics
10
2
10
10
5
I D = 10 A pulsed
V GS = 0 V
25 °C, 98%
9
f = 1 MHz
10
1
T J = 150 °C
25 °C
150 °C, 98%
8
7
1 V
V DS = 20 120 V
40 0V
10
4
Ciss
6
5
10
3
10
0
4
10
2
Coss
3
2
1
10
1
Crss
10
-1
0
10
0
0
0.5
1
1.5
2
0
10
20
30
40
0
100
200
300
400
500
V
SD
[V]
Q
gate
[nC]
V
DS
[V]
Fig. 7 Forward characteristic
Fig. 8
Typ. gate charge
Fig. 9 Typ. capacitances
of reverse diode
500
I D = 6.6 A
700
I D = 0.25 mA
10
0
0.5
400
660
0.2
300
0.1
D = t p /T
200
620
10
-1
0.05
0.02
0.01
100
580
single pulse
0
540
10
-2
20
60
100
140
180
-60
-20
20
60
100
140
180
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
T j [°C]
Fig. 10 Avalanche energy
T j [°C]
Fig. 11 Drain-source breakdown voltage
t p [s]
Fig. 12 Max. transient thermal
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
impedance
20080523d
4-4
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