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参数资料
| 型号： | IXKP20N60C5 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | CoolMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 1.1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1520pF @ 100V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
IXKH 20N60C5
IXKP 20N60C5
TO-247 AD Outline
Symbol
A
A1
A2
D
E
E2
e
L
L1
?P
Q
S
b
b2
b4
c
D1
D2
E1
?P1
Inches
min max
0.185 0.209
0.087 0.102
0.059 0.098
0.819 0.845
0.610 0.640
0.170 0.216
0.215 BSC
0.780 0.800
- 0.177
0.140 0.144
0.212 0.244
0.242 BSC
0.039 0.055
0.065 0.094
0.102 0.135
0.015 0.035
0.515 -
0.020 0.053
0.530 -
- 0.291
Millimeters
min max
4.70 5.30
2.21 2.59
1.50 2.49
20.79 21.45
15.48 16.24
4.31 5.48
5.46 BSC
19.80 20.30
- 4.49
3.55 3.65
5.38 6.19
6.14 BSC
0.99 1.40
1.65 2.39
2.59 3.43
0.38 0.89
13.07 -
0.51 1.35
13.45 -
- 7.39
TO-220 AB Outline
M
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
C
N
A
B
C
D
E
F
12.70 13.97
14.73 16.00
9.91
10.66
3.54
4.08
5.85
6.85
2.54
3.18
0.500 0.550
0.580 0.630
0.390 0.420
0.139 0.161
0.230 0.270
0.100 0.125
G
G
H
J
K
1.15
2.79
0.64
2.54
1.65
5.84
1.01
BSC
0.045 0.065
0.110 0.230
0.025 0.040
0.100 BSC
J
L
K
Q
R
M
N
4.32
1.14
4.82
1.39
0.170 0.190
0.045 0.055
250
75
Q
R
0.35
2.29
0.56
2.79
0.014 0.022
0.090 0.110
35
200
60
T J = 25°C
V GS = 20 V
10 V
8V
30
T J = 125°C
V GS = 8 V
10 V
20 V
7V
6V
25
7V
5.5 V
150
45
20
100
30
6V
15
5V
5.5 V
10
4.5 V
50
15
5V
4.5 V
5
0
0
40
80
120
160
0
0
5
10
15
20
0
0
5
10
15
20
T C [°C]
V
DS
[V]
V DS [V]
Fig. 1 Power dissipation
Fig. 2 Typ. output characteristics
Fig. 3 Typ. output characteristics
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
20080523d
3-4
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXKP24N60C5M | 功能描述:MOSFET 24 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IXKR25N80C | 功能描述:MOSFET 25 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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