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参数资料
| 型号： | IXSN52N60AU1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT FRD 600V 80A SCSOA SOT227B |
| 标准包装： | 30 |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 3V @ 15V，40A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 80A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 750µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 4.5nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXSN52N60AU1
Fig. 12 Forward current
versus voltage drop.
Fig. 15. Dynamic parameters versus
Fig. 13 Recovery charge versus -di F /dt.
Fig. 16 Recovery time versus -di F /dt.
Fig. 14 Peak reverse current versus
-di F /dt.
Fig. 17 Peak forward voltage vs. di F /dt.
junction temperature.
Fig. 18 Transient thermal impedance junction to case.
? 2000 IXYS All rights reserved
5-5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXSN55N120AU1 | IGBT 80A 1200V SOT-227B |
| IXSN55N120A | IGBT 1200V SCSOA SOT-227B |
| IXSN62N60U1 | IGBT 90A 600V SOT-227B |
| IXSN80N60BD1 | IGBT 600V SCSOA SOT-227B |
| L17D438SP | TOOL INSERT/EXTRACT FOR 17RR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXSN55N100U1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 61A I(C) | SOT-227B |
| IXSN55N120 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBT |
| IXSN55N120A | 功能描述:IGBT 晶体管 80 Amps 1200V 4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXSN55N120AU1 | 功能描述:IGBT 晶体管 110 Amps 1200V 4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXSN55N120U1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 83A I(C) | SOT-227B |
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