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参数资料
| 型号： | IXTA110N055T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 |
| 产品目录绘图： | TO-263 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.6 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 57nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3060pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA110N055T2
IXTP110N055T2
100
90
Fig. 7. Input Admittance
70
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
60
80
70
60
50
50
40
25oC
150oC
40
30
T J = 150oC
25oC
- 40oC
30
20
20
10
10
0
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
300
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
270
9
V DS = 28V
I D = 55A
240
8
I
G
= 10mA
210
180
150
120
90
T J = 150oC
7
6
5
4
3
60
30
0
T J = 25oC
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
1,000
f = 1 MHz
Ciss
100
R DS(on) Limit
25μs
100μs
Coss
100
10
Crss
10
1
T J = 175oC
T J = 25oC
Single Pulse
1ms
10ms
100ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V DS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA110N055T7 | MOSFET N-CH 55V 110A TO-263-7 |
| IXTA110N055T | MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 |
| IXTA120N04T2 | MOSFET N-CH 40V 120A TO-263 |
| IXTA120N075T2 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-263 |
| IXTA130N10T-TRL | MOSFET N-CH 100V 130A TO263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA110N055T7 | 功能描述:MOSFET 110 Amps 55V 6.7 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA120N04T2 | 功能描述:MOSFET 120 Amps 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA120N075T2 | 功能描述:MOSFET 120 Amps 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA120P065T | 功能描述:MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA120P065T T/R | 制造商:IXYS Corporation 功能描述: |
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