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参数资料
| 型号： | IXTA220N075T7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 220A TO-263-7 |
| 产品目录绘图： | TO-263-7 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 220A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 165nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 供应商设备封装： | TO-263-7 |
| 包装： | 管件 |
IXTA220N075T7
220
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
300
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
200
180
160
140
V GS = 10V
8V
7V
270
240
210
180
V GS = 10V
8V
7V
120
100
80
60
40
20
0
6V
5V
150
120
90
60
30
0
6V
5V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
220
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
2.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 110A Value
vs. Junction Temperature
200
180
V GS = 10V
8V
7V
2.2
2
V GS = 10V
160
140
1.8
120
100
80
6V
1.6
1.4
1.2
I D = 220A
I D = 110A
60
40
20
0
5V
1
0.8
0.6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 110A Value
vs. Drain Current
140
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
2.4
2.2
120
External Lead Current Limit for TO-263 (7-Lead)
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
V GS = 10V
15V - - - - -
T J = 175oC
T J = 25oC
100
80
60
40
20
0
External Lead Current Limit for TO-3P, TO-220, & TO-263
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA230N075T2 | MOSFET N-CH 75V 230A TO-263 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA230N075T2 | 功能描述:MOSFET 230 Amps 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA240N055T | 功能描述:MOSFET 240 Amps 55V 3.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA240N055T7 | 功能描述:MOSFET 240 Amps 55V 3.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA24P085T | 功能描述:MOSFET 24 Amps 85V 0.065 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA260N055T2-7 | 功能描述:MOSFET 260 Amps 55V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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