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参数资料
| 型号： | IXTA220N075T7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 220A TO-263-7 |
| 产品目录绘图： | TO-263-7 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 220A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 165nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 供应商设备封装： | TO-263-7 |
| 包装： | 管件 |
IXTA220N075T7
70
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
75
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
65
R G = 3.3 Ω
70
60
55
50
45
40
35
30
25
20
I D = 50A
I D = 25A
V GS = 10V
V DS = 37.5V
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
R G = 3.3 Ω
V GS = 10V
V DS = 37.5V
T J = 25oC
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
75
220
48.5
84
70
65
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 37.5V
200
180
48.0
47.5
t f t d(off) - - - -
R G = 3.3 Ω , V GS = 10V
V DS = 37.5V
80
76
60
160
55
I D = 50A
140
47.0
46.5
I D = 25A
72
68
50
45
I D = 25A
120
100
46.0
64
40
35
30
25
80
60
40
20
45.5
45.0
44.5
44.0
I D = 50A
60
56
52
48
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
49
95
210
340
t f t d(off) - - - -
R G = 3.3 Ω , V GS = 10V
90
190
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
310
48
V DS = 37.5V
85
80
170
150
V DS = 37.5V
I D = 25A
280
250
47
T J = 125oC
75
70
130
I D = 50A
220
46
65
60
110
90
190
160
45
44
T J = 25oC
55
50
45
70
50
30
130
100
70
24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
? 2006 IXYS All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_220N075T (61) 11-20-06-B.xls
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA230N075T2 | MOSFET N-CH 75V 230A TO-263 |
| IXTA240N055T7 | MOSFET N-CH 55V 240A TO-263-7 |
| IXTA260N055T2-7 | MOSFET N-CH 55V 260A TO-263 |
| IXTA2N100P | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 |
| IXTA2N100 | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA230N075T2 | 功能描述:MOSFET 230 Amps 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA240N055T | 功能描述:MOSFET 240 Amps 55V 3.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA240N055T7 | 功能描述:MOSFET 240 Amps 55V 3.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA24P085T | 功能描述:MOSFET 24 Amps 85V 0.065 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA260N055T2-7 | 功能描述:MOSFET 260 Amps 55V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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