- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录460 > IXTA240N055T7 (IXYS)MOSFET N-CH 55V 240A TO-263-7 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXTA240N055T7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 240A TO-263-7 |
| 产品目录绘图： | TO-263-7 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 240A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.6 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 170nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 供应商设备封装： | TO-263-7 |
| 包装： | 管件 |
IXTA240N055T7
57
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
60
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
54
R G = 5 Ω
57
51
48
45
V GS = 10V
V DS = 30V
54
51
48
45
R G = 5 Ω
V GS = 10V
V DS = 30V
T J = 25oC
42
42
39
I D = 50A
39
36
33
30
I D = 25A
36
33
30
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
25
30
35
40
45
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
180
66
78
100
160
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
62
76
t f t d(off) - - - -
R G = 5 Ω , V GS = 10V
96
140
V DS = 30V
I D = 50A
25A
58
74
V DS = 30V
92
72
88
120
54
70
84
100
80
50
46
68
66
I D = 25A
80
76
60
40
20
I D = 50A
25A
42
38
34
64
62
60
58
I D = 50A
72
68
64
60
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
78
76
100
96
225
t f
t d(off) - - - -
340
74
72
70
68
66
t d(off) - - - -
t f
R G = 5 Ω , V GS = 10V
T J = 25oC, 125oC
92
88
84
80
76
200
175
150
125
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 30V
I D = 25A
I D = 50A
300
260
220
180
V DS = 30V
64
62
60
58
T J = 25oC, 125oC
72
68
64
60
100
75
50
140
100
60
24
28
32
36
40
44
48
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_240N055T (61) 11-16-06-B.xls
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA260N055T2-7 | MOSFET N-CH 55V 260A TO-263 |
| IXTA2N100P | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 |
| IXTA2N100 | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 |
| IXTA2N80 | MOSFET N-CH 800V 2A TO-263 |
| IXTA300N04T2-7 | MOSFET N-CH 40V 300A TO-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA24P085T | 功能描述:MOSFET 24 Amps 85V 0.065 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA260N055T2-7 | 功能描述:MOSFET 260 Amps 55V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA26P10T | 功能描述:MOSFET TenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA26P20P | 功能描述:MOSFET -26.0 Amps -200V 0.170 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA27N20T | 功能描述:MOSFET 27 Amps 200V 100 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。