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参数资料
型号： IXTA60N10T
厂商： IXYS
文件页数： 2/5页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 100V 60A TO-263
产品目录绘图： TO-263 Package
标准包装： 50
系列： TrenchMV™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 60A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 18 毫欧 @ 25A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 49nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 2650pF @ 25V
功率 - 最大： 176W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装： TO-263
包装： 管件
IXTA60N10T
IXTP60N10T
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-263 (IXTA) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
V DS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
25
42
2650
335
60
S
pF
pF
pF
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 10A
R G = 15 Ω (External)
27
40
43
37
49
ns
ns
ns
ns
nC
Pins:
1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
4, TAB - Drain
Q gs
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 10A
15
nC
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
Q gd
11
nC
A
A1
4.06
2.03
4.83
2.79
.160
.080
.190
.110
R thJC
R thCH
TO-220
0.50
0.85 ° C/W
° C/W
b
b2
c
c2
0.51
1.14
0.46
1.14
0.99
1.40
0.74
1.40
.020
.045
.018
.045
.039
.055
.029
.055
D
D1
8.64
7.11
9.65
8.13
.340
.280
.380
.320
Source-Drain Diode
E
E1
9.65
6.86
10.29
8.13
.380
.270
.405
.320
Symbol Test Conditions
T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
e
L
L1
2.54
14.61
2.29
BSC
15.88
2.79
.100
.575
.090
BSC
.625
.110
I S
I SM
V GS = 0V
Repetitive, pulse width limited by T JM
60
240
A
A
L2
L3
L4
R
1.02
1.27
0
0.46
1.40
1.78
0.38
0.74
.040
.050
0
.018
.055
.070
.015
.029
V SD
I F = 25A, V GS = 0V, Note 1
1.2
V
t rr
I RM
Q RM
I F = 0.5 ? I S , V GS = 0V
-di/dt = 100A/ μ s
V R = 0.5 ? V DSS
59
3.8
112
ns
A
nC
TO-220 (IXTP) Outline
Notes: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s; duty cycle, d ≤ 2%.
2. On through-hole packages, R DS(on) Kelvin test contact location must be
5mm or less from the package body.
Pins:
1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
4, TAB - Drain
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or moreof the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料
PDF描述
IXTA6N50D2 MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK
IXTA6N50P MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK
IXTA70N075T2 MOSFET N-CH 75V 70A TO-263
IXTA76N075T MOSFET N-CH 75V 76A TO-263
IXTA80N10T7 MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7
相关代理商/技术参数
参数描述
IXTA60N20T 功能描述:MOSFET 60 Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTA62N15P 功能描述:MOSFET 62 Amps 150V 0.04 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTA62N25T 功能描述:MOSFET 62 Amps 250V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTA6N100D2 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTA6N50D2 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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