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参数资料
| 型号： | IXTA60N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 60A TO-263 |
| 产品目录绘图： | TO-263 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 49nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 176W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA60N10T
IXTP60N10T
60
Fig. 13. Resistive Turn-on Rise Time
vs. Junction Temperature
60
Fig. 14. Resistive Turn-on Rise Time
vs. Drain Current
55
R G = 15 ?
V GS = 10V
V DS = 50V
55
R G = 15 ?
V GS = 10V
V DS = 50V
T J = 25oC
50
45
50
45
40
I
D
= 30A
40
35
35
30
I
D
= 10A
30
T J = 125oC
25
25
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on Switching Times
vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Junction Temperature
170
80
39
64
150
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
70
38
60
V DS = 50V
I D = 10A
130
110
90
70
50
30
10A < I D < 30A
I D = 30A
I D = 10A
60
50
40
30
20
10
37
36
35
34
33
t f t d(off) - - - -
R G = 15 ? , V GS = 10V
V DS = 50V
I D = 30A
56
52
48
44
40
15
20
25
30
35
40
45
50
55
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Gate Resistance
40
67
120
185
39
38
37
T J = 125oC
t f t d(off) - - - -
R G = 15 ? , V GS = 10V
V DS = 50V
63
59
55
110
100
90
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 50V
I D = 10A, 30A
170
155
140
80
125
36
51
70
110
35
47
60
95
34
33
32
T J = 25oC
43
39
35
50
40
30
80
65
50
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
15
20
25
30
35
40
45
50
55
I D - Amperes
? 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_60N10T(2V)8-07-08-A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA60N20T | 功能描述:MOSFET 60 Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA62N15P | 功能描述:MOSFET 62 Amps 150V 0.04 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA62N25T | 功能描述:MOSFET 62 Amps 250V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA6N100D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA6N50D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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