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参数资料
| 型号： | IXTA60N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 60A TO-263 |
| 产品目录绘图： | TO-263 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 49nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 176W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA60N10T
IXTP60N10T
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 30A Value
vs. Junction Temperature
60
55
50
45
40
V GS = 10V
9V
8V
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
V GS = 10V
35
30
25
20
7V
6V
1.8
1.6
1.4
1.2
I D = 60A
I D = 30A
15
1.0
10
5
0
5V
0.8
0.6
0.4
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
3.2
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 30A Value
vs. Drain Current
65
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
V GS = 10V
15V - - - -
T J = 175oC
T J = 25oC
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
15
30
45
60
75
90
105
120
135
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA60N20T | 功能描述:MOSFET 60 Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IXTA6N100D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA6N50D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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