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参数资料
| 型号： | IXTA76N075T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 76A TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 76A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 57nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2580pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 176W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA76N075T
IXTP76N075T
140
120
Fig. 7. Input Admittance
T J = -40oC
80
70
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
100
25oC
150oC
60
25oC
50
80
60
40
20
0
40
30
20
10
0
150oC
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
0
20
40
60
80
100
120
140
220
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
200
180
160
140
9
8
7
6
V DS = 38V
I D = 10A
I G = 10mA
120
5
100
80
4
60
40
20
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1.00
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
f = 1 MHz
C iss
1,000
C oss
0.10
100
C rss
10
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Seconds
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA80N10T7 | MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7 |
| IXTA80N10T | MOSFET N-CH 100V 80A TO-263 |
| IXTA88N085T7 | MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7 |
| IXTA88N085T | MOSFET N-CH 85V 88A TO-263 |
| IXTA90N055T2 | MOSFET N-CH 55V 90A TO-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA76N25T | 功能描述:MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA76P10T | 功能描述:MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA76P10T-TRL | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:TRENCHP POWER MOSFET |
| IXTA7N60P | 功能描述:MOSFET 7 Amps 600V 1.1 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA80N10T | 功能描述:MOSFET 80 Amps 100V 13.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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