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参数资料
| 型号： | IXTA76N075T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 76A TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 76A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 57nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2580pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 176W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA76N075T
IXTP76N075T
50
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
50
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
47
R G = 10 Ω
47
44
41
38
35
32
29
26
23
20
17
I D = 10A
I D = 30A
V GS = 10V
V DS = 37V
44
41
38
35
32
29
26
23
20
17
R G = 10 Ω
V GS = 10V
V DS = 37V
T J = 25oC
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
90
t r
t d(on) - - - -
34
35
60
80
70
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 37V
I D = 30A
32
30
34
I D = 10A
55
33
50
60
28
50
I D = 10A
26
32
I D = 30A
45
40
24
31
40
30
22
t f
t d(off) - - - -
20
20
30
R G = 10 Ω , V GS = 10V
35
V DS = 37V
10
18
29
30
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
36
t f
t d(off) - - - -
65
100
t f
t d(off) - - - -
170
35
R G = 10 Ω , V GS = 10V
60
90
T J = 125oC, V GS = 10V
150
T J = 125oC
V DS = 37V
V DS = 37V
34
55
80
130
33
32
50
45
70
60
I D = 10A
110
90
I D = 30A
31
40
50
70
T J = 25oC
30
29
35
30
40
30
50
30
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_76N075T (2V) 7-06-06.xls
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA76N25T | 功能描述:MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA76P10T | 功能描述:MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA76P10T-TRL | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:TRENCHP POWER MOSFET |
| IXTA7N60P | 功能描述:MOSFET 7 Amps 600V 1.1 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA80N10T | 功能描述:MOSFET 80 Amps 100V 13.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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