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参数资料
| 型号： | IXTA80N10T7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3040pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 230W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 供应商设备封装： | TO-263-7 |
| 包装： | 管件 |
IXTA80N10T7
80
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
250
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
70
60
V GS = 10V
9V
8V
225
200
V GS = 10V
9V
175
50
150
40
30
20
7V
125
100
75
8V
7V
10
0
6V
50
25
0
6V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
80
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
2.8
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 40A Value
vs. Junction Temperature
70
V GS = 10V
9V
2.6
V GS = 10V
60
50
8V
2.4
2.2
2.0
40
30
20
7V
6V
1.8
1.6
1.4
1.2
I D = 80A
I D = 40A
1.0
10
0
5V
0.8
0.6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
4.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 40A Value
v s. Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
4.2
3.8
3.4
3
V GS = 10V
15V - - - -
T J = 175oC
80
70
60
50
2.6
40
2.2
1.8
1.4
30
20
1
0.6
T J = 25oC
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA80N10T | MOSFET N-CH 100V 80A TO-263 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXTA88N085T7 | 功能描述:MOSFET 88 Amps 85V 11.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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