- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录461 > IXTA80N10T7 (IXYS)MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXTA80N10T7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3040pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 230W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 供应商设备封装： | TO-263-7 |
| 包装： | 管件 |
IXTA80N10T7
140
Fig. 7. Input Admittance
80
Fig. 8. Transconductance
120
100
80
70
60
50
T J = - 40oC
25oC
150oC
40
60
30
40
20
0
T J = 150oC
25oC
- 40oC
20
10
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
0
20
40
60
80
100
120
140
160
250
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
225
200
175
150
125
9
8
7
6
5
V DS = 50V
I D = 25A
I G = 10mA
100
75
50
25
0
T J = 150oC
T J = 25oC
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
0
10
20
30
40
50
60
10,000
1,000
100
10
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
C iss
C oss
C rss
1.00
0.10
0.01
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Seconds
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA80N10T | MOSFET N-CH 100V 80A TO-263 |
| IXTA88N085T7 | MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7 |
| IXTA88N085T | MOSFET N-CH 85V 88A TO-263 |
| IXTA90N055T2 | MOSFET N-CH 55V 90A TO-263 |
| IXTA90N055T | MOSFET N-CH 55V 90A TO-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA80N12T2 | 功能描述:MOSFET TrenchT2 MOSFETs Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA86N20T | 功能描述:MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA88N085T | 功能描述:MOSFET 88 Amps 85V 11.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA88N085T7 | 功能描述:MOSFET 88 Amps 85V 11.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA8N50P | 功能描述:MOSFET 8 Amps 500V 0.8 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。