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参数资料
| 型号： | IXTA80N10T7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3040pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 230W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 供应商设备封装： | TO-263-7 |
| 包装： | 管件 |
IXTA80N10T7
70
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
R G = 15 Ω
70
R G = 15 Ω
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
65
V GS = 10V
V DS = 50V
65
V GS = 10V
V DS = 50V
T J = 25oC
60
55
60
55
50
45
40
35
I D = 10A
I D = 30A
50
45
40
35
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistiv e Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
260
95
49
76
240
t r
t d(on) - - - -
90
48
72
220
200
180
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 50V
I D = 30A
85
80
75
47
46
t f t d(off) - - - -
R G =15 Ω , V GS = 10V
I D = 10A
68
64
160
70
45
V DS = 50V
60
140
65
120
60
44
56
100
80
60
I D = 10A
55
50
45
43
42
41
I D = 30A
52
48
44
40
40
20
0
35
30
40
39
40
36
15
20
25
30
35
40
45
50
55
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistiv e Turn-off
Switching Times v s. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times v s. Gate Resistance
50
78
160
270
49
t f
t d(off) - - - -
74
150
t f
t d(off) - - - -
250
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
R G = 15 Ω , V GS = 10V
V DS = 50V
T J = 125oC
T J = 25oC
70
66
62
58
54
50
46
42
38
34
30
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 50V
I D = 10A
I D = 30A
230
210
190
170
150
130
110
90
70
50
30
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
15
20
25
30
35
40
45
50
55
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_80N10T (3V) 6-21-06.xls
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA80N10T | MOSFET N-CH 100V 80A TO-263 |
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| IXTA88N085T | MOSFET N-CH 85V 88A TO-263 |
| IXTA90N055T2 | MOSFET N-CH 55V 90A TO-263 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA80N12T2 | 功能描述:MOSFET TrenchT2 MOSFETs Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA86N20T | 功能描述:MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA88N085T | 功能描述:MOSFET 88 Amps 85V 11.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA88N085T7 | 功能描述:MOSFET 88 Amps 85V 11.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA8N50P | 功能描述:MOSFET 8 Amps 500V 0.8 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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