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参数资料
| 型号： | IXTA80N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 80A TO-263 |
| 产品目录绘图： | TO-263 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3040pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 230W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AA |
| 包装： | 管件 |
IXTA80N10T
IXTP80N10T
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-263 (IXTA) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
V DS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
33
55
3040
420
90
S
pF
pF
pF
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 10A
R G = 15 Ω (External)
31
54
40
48
60
ns
ns
ns
ns
nC
1. Gate
2. Drain
3. Source
Q gs
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 25A
21
nC
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
Q gd
15
nC
A
b
4.06
0.51
4.83
0.99
.160
.020
.190
.039
R thJC
R thCS
0.50
0.65
° C/W
° C/W
b2
c
c2
D
1.14
0.40
1.14
8.64
1.40
0.74
1.40
9.65
.045
.016
.045
.340
.055
.029
.055
.380
D1
E
E1
e
L
L1
L2
8.00
9.65
6.22
2.54
14.61
2.29
1.02
8.89
10.41
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
Source-Drain Diode
L3
L4
1.27
0
1.78
0.13
.050
0
.070
.005
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-220 (IXTP) Outline
I S
I SM
V SD
t rr
V GS = 0V
Repetitive, Pulse Width Limited by T JM
I F = 25A, V GS = 0V, Note 1
I F = 25A, -di/dt = 100A/ μ s
100
80
220
1.1
A
A
V
ns
V R = 50V, V GS = 0V
Notes 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2%.
Pins:
1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
4 - Drain
2. On through-kole packages R DS(on) Kelvin test contact location
must be 5 mm or less from the package body.
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA88N085T7 | MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7 |
| IXTA88N085T | MOSFET N-CH 85V 88A TO-263 |
| IXTA90N055T2 | MOSFET N-CH 55V 90A TO-263 |
| IXTA90N055T | MOSFET N-CH 55V 90A TO-263 |
| IXTA90N075T2 | MOSFET N-CH 75V 90A TO-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA80N10T7 | 功能描述:MOSFET 80 Amps 100V 13.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA80N12T2 | 功能描述:MOSFET TrenchT2 MOSFETs Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA86N20T | 功能描述:MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA88N085T | 功能描述:MOSFET 88 Amps 85V 11.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA88N085T7 | 功能描述:MOSFET 88 Amps 85V 11.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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