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参数资料
| 型号： | IXTA80N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 80A TO-263 |
| 产品目录绘图： | TO-263 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3040pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 230W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AA |
| 包装： | 管件 |
IXTA80N10T
IXTP80N10T
70
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
80
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
65
R G = 15 ? , V GS = 10V
V DS = 50V
75
70
R G = 15 ? , V GS = 10V
V DS = 50V
T J = 25oC
60
55
65
60
50
I
D
= 30A
55
50
45
45
40
I
D
= 10A
40
T J = 125oC
35
35
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
280
95
49
76
240
t r
t d(on) - - - -
85
48
72
200
160
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 50V
I D = 30A
75
65
47
46
45
t f t d(off) - - - -
R G = 15 ? , V GS = 10V
V DS = 50V
I D = 10A
68
64
60
44
56
120
55
43
I D = 30A
52
80
I D = 10A
45
42
48
41
44
40
0
35
25
40
39
40
36
15
20
25
30
35
40
45
50
55
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
50
78
160
270
48
t f t d(off) - - - -
R G = 15 ? , V GS = 10V
70
140
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
230
V DS = 50V
V DS = 50V
46
62
120
190
44
42
T J = 125oC
54
46
100
80
I D = 10A
150
110
40
T J = 25oC
38
60
I
D
= 30A
70
38
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
30
40
15
20
25
30
35
40
45
50
55
30
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_80N10T(3V)12-11-07-A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXTA80N12T2 | 功能描述:MOSFET TrenchT2 MOSFETs Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IXTA88N085T | 功能描述:MOSFET 88 Amps 85V 11.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA88N085T7 | 功能描述:MOSFET 88 Amps 85V 11.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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