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参数资料
| 型号： | IXTH150N17T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 175V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 150A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 155nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH150N17T
160
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
325
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
140
120
V GS = 10V
8V
7V
300
275
250
225
V GS = 10V
8V
7V
100
200
80
60
6V
175
150
125
6V
100
40
75
20
0
5V
50
25
0
5V
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0
2
4
6
8
10
12
14
16
160
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 75A Value
vs. Junction Temperature
140
120
100
80
V GS = 10V
8V
7V
6V
2.8
2.4
2.0
1.6
V GS = 10V
I D = 150A
I D = 75A
60
40
20
0
5V
1.2
0.8
0.4
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
4.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 75A Value
vs. Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
3.5
3.0
V GS = 10V
15V
----
T J = 175oC
80
70
60
External Lead Current Limit
2.5
2.0
50
40
30
1.5
1.0
0.5
T J = 25oC
20
10
0
0
40
80
120
160
200
240
280
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH152N085T | MOSFET N-CH 85V 152A TO-247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IXTH15N40MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-247(5) |
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