参数资料
型号: IXTH150N17T
厂商: IXYS
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 175V 150A TO-247
标准包装: 30
系列: TrenchHV™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 175V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 150A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 12 毫欧 @ 75A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 155nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 9800pF @ 25V
功率 - 最大: 830W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247
包装: 管件
IXTH150N17T
160
140
120
100
Fig. 7. Input Admittance
160
140
120
100
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
25oC
80
60
40
20
0
T J = 150oC
25oC
- 40oC
80
60
40
20
0
150oC
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
300
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
270
240
210
180
150
120
9
8
7
6
5
4
V DS = 85V
I D = 25A
I G = 10mA
90
60
30
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
0
20
40
60
80
100
120
140
160
100,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1.000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
f = 1 MHz
Ciss
10,000
0.100
1,000
Coss
0.010
100
Crss
10
0.001
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: T_150N17T(8W)12-02-08-A
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