参数资料
型号: IXTH16P60P
厂商: IXYS
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描述: MOSFET P-CH 600V 16A TO-247
产品目录绘图: TO-247AD 3-Leads
标准包装: 30
系列: PolarP™
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 16A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 720 毫欧 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 92nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5120pF @ 25V
功率 - 最大: 460W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247
包装: 管件
IXTH16P60P
IXTT16P60P
-16
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
V GS = -10V
-38
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
V GS = -10V
-14
- 7V
-34
- 7V
-12
- 6V
-30
-26
-10
-22
-8
-6
-4
-18
-14
-10
- 6V
-2
- 5V
-6
- 5V
-2
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
0
-3
-6
-9
-12
-15
-18
-21
-24
-27
-30
-16
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
V GS = -10V
2.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = - 8A vs.
Junction Temperature
-14
- 7V
2.2
V GS = -10V
2.0
-12
-10
- 6V
1.8
1.6
I D = -16A
I D = - 8A
-8
-6
1.4
1.2
-4
-2
0
- 5V
1.0
0.8
0.6
0.4
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.2
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = - 8A vs.
Drain Current
-18
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.0
V GS = -10V
T J = 125oC
-16
-14
1.8
1.6
1.4
-12
-10
-8
-6
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
-4
-2
0
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T J - Degrees Centigrade
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